Diode bán dẫn có điện thế VA < VK thì diode được:

Khi diode phân cực ngược, vùng nghèo (depletion region) mở rộng, ngăn cản dòng điện chạy qua. Tuy nhiên, vẫn có một dòng điện nhỏ chạy qua diode do các hạt thiểu số (minority carriers). Dòng điện này được gọi là dòng điện rỉ (leakage current) hoặc dòng điện ngược (reverse current). Chiều của dòng điện rỉ là từ anode (A) sang cathode (K). Vì vậy, đáp án B là đáp án đúng.

Transistor PNP dẫn khi điện áp ở cực B âm hơn so với cực E. Khi đó, dòng điện chủ yếu (dòng lỗ trống) sẽ đi từ cực E sang cực C. Tuy nhiên, có một lượng nhỏ electron (đa số ở vùng base) sẽ di chuyển từ cực C sang cực E để tái hợp với lỗ trống ở vùng base. Do đó, đáp án B là chính xác nhất.

Trong cấu hình mắc CE (Common Emitter) của transistor, tín hiệu được đưa vào cực B (Base) và lấy ra ở cực C (Collector). Do đặc tính của mạch khuếch đại dùng transistor mắc theo kiểu CE, tín hiệu ra và tín hiệu vào luôn ngược pha nhau 180 độ. Vì vậy, khi tín hiệu ngõ vào tăng, tín hiệu ngõ ra sẽ giảm và ngược lại.

Câu hỏi này kiểm tra kiến thức về các kiểu cấu hình cơ bản của transistor lưỡng cực (BJT).

* CE (Common Emitter): Cực Emitter được nối đất hoặc giữ ở điện thế chung, tín hiệu vào được đưa vào cực Base và tín hiệu ra được lấy từ cực Collector.
* CB (Common Base): Cực Base được nối đất hoặc giữ ở điện thế chung, tín hiệu vào được đưa vào cực Emitter và tín hiệu ra được lấy từ cực Collector.
* CC (Common Collector): Cực Collector được nối đất hoặc giữ ở điện thế chung, tín hiệu vào được đưa vào cực Base và tín hiệu ra được lấy từ cực Emitter. Cấu hình này còn được gọi là mạch Emitter Follower.

Các phương án khác không đúng vì:

* B. E chung, B chung, C chung: Cách gọi này tương đương với CE, CB, CC, nhưng không phổ biến bằng.
* C. D chung, S chung, G chung: Đây là các kiểu ráp cơ bản của transistor trường (FET), không phải BJT.
* D. Chỉ có câu C sai: Câu này không đúng vì cả câu B cũng không phải là cách diễn đạt chuẩn nhất.