Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

Công thức liên hệ giữa dòng điện cực góp (I_C) và dòng điện cực gốc (I_B) trong transistor lưỡng cực (BJT) được biểu diễn bằng hệ số khuếch đại dòng điện \(\beta \) (beta). Công thức chính xác là: I_C = \(\beta \)I_B, trong đó \(\beta \) là hệ số khuếch đại dòng điện một chiều, thường có giá trị lớn (ví dụ: 50, 100, 200,...). Các phương án khác không đúng vì chúng sử dụng các hệ số hoặc công thức không chính xác để mô tả mối quan hệ này.

Phương án A: I_C = (1 + \(\beta \))I_B - Sai, vì nó cộng 1 vào \(\beta \), làm sai lệch hệ số khuếch đại.
Phương án C: I_C = \(\alpha \)I_B - Sai, vì \(\alpha \) là hệ số khuếch đại dòng điện giữa cực góp và cực phát, không phải cực gốc.
Phương án D: I_C = (1 + \(\alpha \))I_B - Sai, tương tự như phương án A, nó sử dụng một công thức không chính xác.

Trong transistor lưỡng cực, dòng điện cực phát (I_E) là tổng của dòng điện cực gốc (I_B) và dòng điện cực thu (I_C). Hệ số khuếch đại dòng điện \(\beta \) được định nghĩa là tỷ số giữa I_C và I_B (I_C = \(\beta \)I_B). Từ đó, ta có I_E = I_B + I_C = I_B + \(\beta \)I_B = (1 + \(\beta \))I_B. Vậy đáp án A là đáp án đúng.

Công thức tính hệ số khuếch đại dòng điện (β) trong transistor là: β = Ic / Ib, trong đó Ic là dòng điện cực góp và Ib là dòng điện cực gốc.

Trong trường hợp này, Ic = 5mA và Ib = 0.02mA. Vậy, β = 5mA / 0.02mA = 250.

Vậy đáp án đúng là A.

Hình vẽ mô tả mạch định thiên bằng cầu phân áp. Trong mạch này, điện áp tại cực gốc (base) của transistor được xác định bởi cầu phân áp tạo bởi hai điện trở mắc nối tiếp. Điện áp này ổn định và ít phụ thuộc vào sự thay đổi của transistor, giúp duy trì điểm làm việc (Q-point) ổn định cho transistor.

Các phương án khác:
- Định thiên bằng dòng I cố định (B) không đúng vì mạch không sử dụng điện trở để cố định dòng điện collector.
- Định thiên bằng hồi tiếp âm điện áp (C) không đúng vì mạch không có hồi tiếp âm điện áp từ collector về base.
- Do đó, phương án "Tất cả các cách trên" (D) cũng không đúng.

SCR (Silicon Controlled Rectifier) là một loại thyristor, một linh kiện bán dẫn có cấu trúc bốn lớp bán dẫn (P-N-P-N) tạo thành ba lớp tiếp xúc P-N. Do đó, đáp án D là đáp án chính xác.