Để tăng hàm lượng các bon liên kết trong gang phải ủ ở khoảng nhiệt độ nào?

Ứng suất nhiệt phát sinh do sự khác biệt nhiệt độ trong vật liệu trong quá trình làm nguội. Tôi đẳng nhiệt, bằng cách giữ nhiệt độ ổn định trong một khoảng thời gian, cho phép nhiệt độ trong vật liệu cân bằng, giảm thiểu sự chênh lệch nhiệt độ và do đó giảm ứng suất nhiệt so với các phương pháp tôi khác (tôi trong một môi trường, tôi phân cấp, tôi trong hai môi trường) mà có sự thay đổi nhiệt độ đột ngột và không đồng đều hơn.

Thông số mạng tinh thể là các kích thước cạnh của ô cơ bản (a, b, c) và các góc giữa chúng (α, β, γ). Ô cơ bản là đơn vị nhỏ nhất lặp lại trong không gian ba chiều để tạo thành toàn bộ mạng tinh thể. Kích thước của ô cơ bản xác định cấu trúc và tính chất của vật liệu.

Sau khi thấm các bon, lớp bề mặt của vật liệu sẽ có hàm lượng các bon cao, làm tăng độ cứng và khả năng chống mài mòn. Tuy nhiên, cấu trúc tế vi sau khi thấm các bon thường không đồng đều và có thể chứa các pha không mong muốn. Do đó, cần phải thực hiện nhiệt luyện để cải thiện cấu trúc và tính chất của lớp bề mặt đã thấm các bon. Phương pháp "Tôi và ram thấp" là phù hợp nhất vì tôi sẽ làm cứng bề mặt, còn ram thấp sẽ giảm ứng suất dư và tăng độ dẻo dai, đảm bảo độ cứng cao và chống mài mòn tốt.

Câu hỏi này liên quan đến hợp kim có giản đồ loại 1, tức là các nguyên tố hòa tan hoàn toàn vào nhau ở cả trạng thái lỏng và rắn.
- Phương án 1: "Các nguyên hòa tan một phần vào nhau ở trạng thái rắn" là sai. Vì hợp kim loại 1 hòa tan *hoàn toàn* ở trạng thái rắn.
- Phương án 2: "Tính đúc tốt, tính gia công áp lực kém" có thể đúng hoặc sai tùy thuộc vào từng hợp kim cụ thể, nhưng không phải là đặc điểm *luôn luôn* đúng cho mọi hợp kim loại 1. Tuy nhiên, so với các phương án khác, nó ít sai hơn.
- Phương án 3: "Tính chất phụ thuộc vào tỷ lệ các nguyên theo quan hệ tuyến tính" là một đặc điểm quan trọng của hợp kim loại 1.
- Phương án 4: "Trong tổ chức luôn có cùng tinh" là đúng vì chỉ có một pha duy nhất trong tổ chức của hợp kim loại 1.
Vì câu hỏi yêu cầu tìm phát biểu *sai*, nên đáp án là phương án 1.