Công thức chung để tính hệ số khuyếch đại điện áp của mạch khuyếch đại phân cực base là . . . . . .

Để đo trở kháng ra của một mạch khuếch đại transistor, người ta thường sử dụng phương pháp đặt một điện thế kế (potentiometer) vào vị trí của điện trở tải. Bằng cách điều chỉnh điện thế kế và quan sát sự thay đổi điện áp và dòng điện trong mạch, ta có thể xác định được trở kháng ra của mạch. Các phương án khác không phù hợp vì:

• Đồng hồ đo điện trở (A) chỉ đo điện trở tĩnh, không thể đo trở kháng ra của mạch khuếch đại đang hoạt động.
• Đồng hồ đo trở kháng (B) có thể đo trở kháng, nhưng không phải là phương pháp tiêu chuẩn để đo trở kháng ra của mạch khuếch đại transistor.
• Máy vẽ đặc tuyến (C) dùng để vẽ đặc tuyến của transistor, không trực tiếp dùng để đo trở kháng ra.

Trong một transistor lưỡng cực (BJT), dòng điện emitter (I_E) là tổng của dòng điện base (I_B) và dòng điện collector (I_C). Điều này xuất phát từ định luật Kirchhoff về dòng điện (KCL) tại nút emitter. Như vậy, phương trình đúng là I_E = I_B + I_C.

Khi BJT (Bipolar Junction Transistor) hoạt động ở chế độ bảo hòa (saturation), điện áp giữa cực góp (Collector) và cực phát (Emitter), ký hiệu là VCE, sẽ rất nhỏ, gần bằng 0. Trong thực tế, VCEsat thường xấp xỉ khoảng 0.2V. Các đáp án khác không chính xác vì:

• VCC là điện áp nguồn cung cấp cho mạch, không phải là điện áp VCE khi BJT bảo hòa.
• VB là điện áp tại cực gốc (Base), không liên quan trực tiếp đến VCEsat.
• 0.7V là điện áp ngã ba B-E (Base-Emitter) khi BJT dẫn (ở trạng thái active hoặc bảo hòa), không phải là VCEsat.