Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy tính giá trị điện trở để có dòng điện chạy qua diod xấp xỉ 10mA?

Trong transistor lưỡng cực NPN, cực gốc (B) được pha tạp chất loại P. Mà chất bán dẫn loại P có hạt dẫn đa số là lỗ trống (holes). Do đó, đáp án đúng là B.

Để transistor N-P-N dẫn điện, cần có hai điều kiện chính:

1. Vùng B-E (Base-Emitter) phân cực thuận: Điện áp ở cực Base (B) phải cao hơn điện áp ở cực Emitter (E), tức là U_B > U_E. Điều này cho phép dòng điện chạy từ B sang E.

2. Vùng C-B (Collector-Base) phân cực ngược (hoặc ít nhất là điện áp Collector cao hơn Base): Điện áp ở cực Collector (C) phải cao hơn điện áp ở cực Base (B), tức là U_C > U_B. Điều này tạo ra một điện trường hút các electron từ vùng Base sang vùng Collector, tạo thành dòng Collector.

Kết hợp hai điều kiện trên, ta có: U_C > U_B > U_E.

Công thức tính dòng điện cực góp (Ic) trong transistor là: Ic = β * Ib, trong đó β là hệ số khuếch đại dòng điện (hfe) và Ib là dòng điện cực gốc.

Trong trường hợp này, β = 125 và Ib = 30 µA = 0.03 mA.

Vậy, Ic = 125 * 0.03 mA = 3.75 mA.

Vậy đáp án đúng là D.

Để xác định cách mắc của transistor trong sơ đồ, ta cần xem xét cực nào của transistor được nối chung với cả đầu vào và đầu ra. Trong sơ đồ này:

* Đầu vào: Tín hiệu được đưa vào giữa cực B (Base) và cực E (Emitter).
* Đầu ra: Tín hiệu được lấy ra giữa cực C (Collector) và cực E (Emitter).

Như vậy, cực E (Emitter) được nối chung giữa cả đầu vào và đầu ra. Do đó, transistor được mắc theo cấu hình Góp chung (CC), còn được gọi là mạch theo Emitter.

* Phát chung (CE): Cực E được nối mass, tín hiệu vào cực B, tín hiệu ra cực C.
* Gốc chung (CB): Cực B được nối mass, tín hiệu vào cực E, tín hiệu ra cực C.
* Darlington: Là hai transistor được mắc theo một cấu hình đặc biệt để tăng hệ số khuếch đại dòng, không phải là một kiểu mắc cơ bản như CE, CC, CB.