Trong máy tính, bộ nhớ SRAM được coi là 

Bộ nhớ ROM (Read-Only Memory) là bộ nhớ chỉ đọc. Có nhiều loại ROM khác nhau, trong đó EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) là loại ROM có thể được ghi và xóa bằng điện. EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) cũng có thể xóa được, nhưng cần sử dụng tia cực tím, không phải bằng điện. PROM (Programmable Read-Only Memory) chỉ có thể lập trình một lần duy nhất.

Trong ánh xạ trực tiếp (Direct Mapping), mỗi block của bộ nhớ chính chỉ có thể được ánh xạ tới một line duy nhất trong cache. Điều này có nghĩa là một block cụ thể từ bộ nhớ chính sẽ luôn được đặt vào cùng một vị trí (line) trong cache nếu nó được đưa vào cache. Do đó, đáp án C là chính xác.

Các đáp án khác không đúng vì:
- A: Sai. Trong ánh xạ trực tiếp, block không thể ánh xạ vào một line bất kỳ.
- B: Sai. Trong ánh xạ trực tiếp, block không thể ánh xạ vào một line bất kỳ trong một tập line xác định (đây là đặc điểm của ánh xạ tập hợp).
- D: Sai. Block không chỉ ánh xạ vào một trong bốn line xác định (số lượng line xác định không cố định là bốn, và đây cũng không phải là đặc điểm của ánh xạ trực tiếp).

Phương pháp vào/ra bằng chương trình (Programmed I/O) là một phương pháp đơn giản trong đó CPU trực tiếp điều khiển quá trình trao đổi dữ liệu với các thiết bị ngoại vi. CPU liên tục kiểm tra trạng thái của thiết bị và thực hiện các lệnh để đọc hoặc ghi dữ liệu. Vì CPU phải trực tiếp tham gia vào mọi hoạt động vào/ra, đây là phương pháp đơn giản nhất để thực hiện, nhưng nó không phải là phương pháp nhanh nhất và có thể làm chậm hiệu năng của hệ thống vì CPU phải chờ đợi các thiết bị hoàn thành hoạt động của chúng. Thiết kế mạch cho phương pháp này không phức tạp như các phương pháp khác như DMA (Direct Memory Access). Do đó, phương án A là đáp án đúng nhất.

Để có module nhớ 4K x 8 bit từ các IC SRAM, ta cần kết hợp các IC sao cho tổng dung lượng và số bit dữ liệu phù hợp. Trong hình vẽ, ta thấy 4 IC SRAM được kết nối song song để tăng số bit dữ liệu, và địa chỉ được chia sẻ. Do đó:

* Mỗi IC SRAM có dung lượng 4K x 4 bit.
* Khi kết hợp 4 IC, dung lượng vẫn là 4K (vì địa chỉ chung).
* Số bit dữ liệu tăng lên 4 x 2 = 8 bit.

Vậy, đáp án đúng là A: 4K x 4 bit để có module nhớ 4K x 8 bit.

Câu hỏi yêu cầu tìm phát biểu sai về các thuật toán thay thế dữ liệu trong cache.

* A. FIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay: Đúng. FIFO (First-In, First-Out) thay thế block được đưa vào cache lâu nhất.
* B. FIFO là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất: Sai. FIFO không quan tâm đến tần suất truy cập. Thuật toán thay thế block có tần suất truy cập ít nhất là LFU (Least Frequently Used).
* C. LRU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất: Đúng. LRU (Least Recently Used) thay thế block ít được sử dụng gần đây nhất.
* D. Random là TT thay đi block ngẫu nhiên: Đúng. Thuật toán Random chọn một block ngẫu nhiên để thay thế.

Vậy, phát biểu sai là B.