Diode trong UJT có nền N thì cực E tương ứng là:

Diode cảm quang, hay còn gọi là photodiode, là một loại diode bán dẫn hoạt động dựa trên nguyên tắc hấp thụ ánh sáng. Khi ánh sáng chiếu vào vùng tiếp giáp p-n của diode, nó tạo ra các cặp electron-hole, làm tăng dòng điện ngược của diode. Do đó, diode cảm quang được sử dụng để cảm nhận ánh sáng.

Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng cầu diode sử dụng 4 diode để chỉnh lưu. Cầu diode cho phép dòng điện đi qua theo một hướng duy nhất, do đó cả hai nửa chu kỳ của tín hiệu đầu vào đều được sử dụng để tạo ra tín hiệu đầu ra một chiều.

Để transistor NPN dẫn điện (hoạt động ở chế độ khuếch đại), cần đảm bảo hai điều kiện sau:

1. Điện áp giữa cực B và cực E (VBE) phải lớn hơn 0 (VBE > 0), tức là VB > VE. Điều này đảm bảo diode BE phân cực thuận.
2. Điện áp giữa cực C và cực B (VCB) phải lớn hơn 0 (VCB > 0), tức là VC > VB. Điều này đảm bảo diode BC phân cực ngược.

Kết hợp cả hai điều kiện trên, ta có VC > VB > VE.

Trong mạch transistor, cách mắc cực thu chung (Common Collector) còn được gọi là mắc kiểu CC. Trong cách mắc này, cực thu (Collector) được nối chung với cả đầu vào và đầu ra, thường được sử dụng trong các mạch đệm (buffer) trở kháng cao sang trở kháng thấp.

JFET (Junction Field-Effect Transistor) là một loại transistor trường hiệu ứng, có ba chân chính là:

• Drain (D): Cực máng, tương tự cực C (Collector) của BJT.
• Source (S): Cực nguồn, tương tự cực E (Emitter) của BJT.
• Gate (G): Cực cổng, điều khiển dòng điện giữa cực máng và cực nguồn, tương tự cực B (Base) của BJT.

Vậy đáp án đúng là B. D, S, G.