Trong sơ đồ sau, tần số xung ở tải sẽ là: (B)

Bằng tần số nguồn vào

Gấp 2 lần tần số nguồn vào

Gấp 3 lần tần số nguồn vào

Tất cả đều sai

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Sơ đồ trên thể hiện mạch chỉnh lưu cầu một pha. Trong mạch chỉnh lưu cầu, diode dẫn điện theo từng cặp trong mỗi bán kỳ của điện áp xoay chiều đầu vào. Vì cả hai bán kỳ đều được sử dụng để tạo ra điện áp một chiều ở đầu ra, nên tần số xung ở tải (đầu ra) sẽ gấp đôi tần số nguồn vào.

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 2

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 50:

Trong sơ đồ sau, nếu có điện áp vào U_m = 150V, tải R = 10Ω, thì điện áp ngược cực đại trên diode là: (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Điện áp ngược cực đại trên diode trong mạch chỉnh lưu nửa sóng bằng với giá trị cực đại của điện áp xoay chiều đầu vào. Trong trường hợp này, U_m = 150V, vậy điện áp ngược cực đại trên diode là 150V.

Câu 1:

Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

Lời giải:

Đáp án đúng: B

Công thức tính năng lượng tiêu hao trong quá trình chuyển mạch của công tắc bán dẫn lý tưởng là: \(W_{SW} = \frac{1}{2} V I (t_{swon} + t_{swoff})\) trong đó: V là điện áp, I là dòng điện, t_swon là thời gian bật và t_swoff là thời gian tắt. Do đó, đáp án đúng là C.

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

MOSFET công suất có những đặc tính sau:

* Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ): Điều này giúp giảm thiểu tổn thất công suất khi MOSFET dẫn điện.
* Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cỡ vài chục volt: Tổng trở vào lớn giúp MOSFET dễ dàng được điều khiển, và điện thế VGS giới hạn bảo vệ MOSFET khỏi hư hỏng.
* Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz): Điều này cho phép MOSFET hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.

Vì tất cả các phát biểu A, B, và C đều đúng, nên đáp án D là chính xác.

Câu 3:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

MOSFET công suất có một số ưu điểm so với BJT công suất, bao gồm:

Trở kháng vào lớn, nên dễ điều khiển hơn, cần dòng điều khiển nhỏ hơn.

Tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, đáp ứng tần số cao hơn so với BJT.

MOSFET có đặc tuyến V-I với vùng hoạt động an toàn (SOA) rộng hơn, và không có hiện tượng hủy thác thứ cấp như ở BJT. Điều này giúp MOSFET đáng tin cậy hơn trong các ứng dụng chuyển mạch công suất.

Do đó, phương án C là chính xác nhất.

Câu 4:

Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Công suất tổn hao trong thời gian chuyển mạch (giao hoán) của MOSFET công suất bao gồm hai thành phần chính: năng lượng tiêu thụ khi bật (W_SWon) và năng lượng tiêu thụ khi tắt (W_SWoff). Tổng công suất tổn hao do chuyển mạch là tổng năng lượng tiêu thụ trong mỗi chu kỳ chuyển mạch nhân với tần số chuyển mạch (f). Do đó, công thức chính xác là P_SW = (W_SWon + W_SWoff)f. Các lựa chọn khác không tính đến cả bật và tắt, hoặc bao gồm các thành phần không liên quan đến tổn hao chuyển mạch.

Câu 5:

Phát biểu nào đúng cho SCS (Silicon Controlled Switch) (C)

Lời giải: