Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

W_SW = \(\frac{1}{3}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{6}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{2}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = V.I(t_swon + t_swoff)

Trả lời:

Đáp án đúng: B

Công thức tính năng lượng tiêu hao trong quá trình chuyển mạch của công tắc bán dẫn lý tưởng là: \(W_{SW} = \frac{1}{2} V I (t_{swon} + t_{swoff})\) trong đó: V là điện áp, I là dòng điện, t_swon là thời gian bật và t_swoff là thời gian tắt. Do đó, đáp án đúng là C.

150+ câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất giải thích đáp án ngắn gọn, dễ hiểu - Phần 2

50 câu hỏi 60 phút

Bắt đầu thi

Câu hỏi liên quan

Câu 2:

Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)

Lời giải:

Đáp án đúng: D

MOSFET công suất có những đặc tính sau:

* Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ): Điều này giúp giảm thiểu tổn thất công suất khi MOSFET dẫn điện.
* Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cỡ vài chục volt: Tổng trở vào lớn giúp MOSFET dễ dàng được điều khiển, và điện thế VGS giới hạn bảo vệ MOSFET khỏi hư hỏng.
* Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz): Điều này cho phép MOSFET hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.

Vì tất cả các phát biểu A, B, và C đều đúng, nên đáp án D là chính xác.

Câu 3:

Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

MOSFET công suất có một số ưu điểm so với BJT công suất, bao gồm:

Trở kháng vào lớn, nên dễ điều khiển hơn, cần dòng điều khiển nhỏ hơn.

Tốc độ chuyển mạch nhanh hơn, đáp ứng tần số cao hơn so với BJT.

MOSFET có đặc tuyến V-I với vùng hoạt động an toàn (SOA) rộng hơn, và không có hiện tượng hủy thác thứ cấp như ở BJT. Điều này giúp MOSFET đáng tin cậy hơn trong các ứng dụng chuyển mạch công suất.

Do đó, phương án C là chính xác nhất.

Câu 4:

Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

Công suất tổn hao trong thời gian chuyển mạch (giao hoán) của MOSFET công suất bao gồm hai thành phần chính: năng lượng tiêu thụ khi bật (W_SWon) và năng lượng tiêu thụ khi tắt (W_SWoff). Tổng công suất tổn hao do chuyển mạch là tổng năng lượng tiêu thụ trong mỗi chu kỳ chuyển mạch nhân với tần số chuyển mạch (f). Do đó, công thức chính xác là P_SW = (W_SWon + W_SWoff)f. Các lựa chọn khác không tính đến cả bật và tắt, hoặc bao gồm các thành phần không liên quan đến tổn hao chuyển mạch.

Câu 5:

Phát biểu nào đúng cho SCS (Silicon Controlled Switch) (C)

Lời giải:

Đáp án đúng: C

SCS (Silicon Controlled Switch) là một thiết bị bán dẫn có cấu trúc tương tự như SCR (Silicon Controlled Rectifier), nhưng điểm khác biệt quan trọng là SCS có hai cực điều khiển (Gate): một cực Anode Gate (GA) và một cực Cathode Gate (GK). Cực GA được sử dụng để kích xung âm, còn cực GK được sử dụng để kích xung dương. Việc kích xung âm hoặc xung dương vào các cực Gate này cho phép điều khiển việc đóng (bật) hoặc ngắt (tắt) SCS. Do đó, đáp án C là chính xác nhất vì nó mô tả đúng cấu tạo và chức năng của SCS.

Câu 6:

Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (Gate Turn-Off SCR) (B)

Lời giải:

Đáp án đúng: B

GTO (Gate Turn-Off thyristor) là một loại thyristor có khả năng tắt bằng xung điều khiển cổng. Nó có cấu trúc tương tự như SCR (Silicon Controlled Rectifier) nhưng có thêm cực điều khiển để ngắt dòng điện. Cực điều khiển này được mắc song song với cực điều khiển đóng (cực cổng kích). Khi có một xung âm (đối với GTO loại P-channel) hoặc xung dương (đối với GTO loại N-channel) được đưa vào cực điều khiển ngắt, nó sẽ làm giảm dòng điện anode và tắt GTO. Do đó, đáp án B là chính xác.

Câu 7:

Linh kiện nào sau đây là SCR? (A)

Lời giải: