Khi transistor làm việc ở vùng khuếch đại tuyến tính ta có:

Dòng điện chạy trên cuộn thứ cấp của biến thế:

Bộ khuếch đại thuật toán là:

Cho IC như hình vẽ:IC được đóng gói dạng:

Op-amp có nguồn cấp điện trong khoảng:

Khi sử dụng diod ta phải biết những tham số giới hạn nào của chúng?

Mạch nối tiếp là mạch trong đó dòng là:

Dòng điện nhỏ nhất mà nó có thể bật SCR dẫn điện gọi là:

FET có ưu điểm hơn BJT là:

Độ lợi mạch khuếch đại điện áp là:

SCR có điện áp V_AK>0 thì trong SCR có:

Mạch KĐVS sẽ:

Khi sử dụng JFET ta phải biết những tham số giới hạn nào của chúng?

Cho một mạch khuếch đại có độ lợi áp A_v và độ lợi dòng A_i thì độ lợi công suất được tính.

Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

Để tránh vấn đề Offset trong mạch khuếch đại vi sai, người ta mắc thêm:

IC đóng gói được ký hiệu SIP(Single Inline Package) có đặc điểm:

Vi mạch khuếch đại thuật toán có:

DIAC tương đương với:

BW độ lợi đơn vị là:

Đơn vị cơ bản của năng lượng điện là: